Infineon N沟道IGBT, 7个, Ic 25 A, VCEO 1200 V, 23针, EasyPIM
- RS 库存编号:
- 226-6059P
- 制造商零件编号:
- FP25R12W2T7B11BPSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 4 - 7 | RMB328.15 |
| 8 + | RMB311.76 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 226-6059P
- 制造商零件编号:
- FP25R12W2T7B11BPSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 25 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200 V | |
| 最大栅极发射极电压 | 20V | |
| 晶体管数 | 7 | |
| 最大功率耗散 | 20 mW | |
| 封装类型 | EasyPIM | |
| 配置 | 六路 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 23 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 25 A | ||
最大集电极-发射极电压 1200 V | ||
最大栅极发射极电压 20V | ||
晶体管数 7 | ||
最大功率耗散 20 mW | ||
封装类型 EasyPIM | ||
配置 六路 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 23 | ||
Infineon 25 A PIM IGBT 模块采用紧凑型设计，采用压配触点技术。它具有低通态电压 VCEsat。
过载操作高达 175°C
2.5 kV 交流 1 分钟绝缘
Al2O3 基片，具有低热阻
2.5 kV 交流 1 分钟绝缘
Al2O3 基片，具有低热阻