Infineon N沟道IGBT, Ic 80 A, VCEO 650 V, 3针, PG-TO263
- RS 库存编号:
- 226-6062
- 制造商零件编号:
- IGB50N65S5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 226-6062
- 制造商零件编号:
- IGB50N65S5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 80 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V | |
| 最大栅极发射极电压 | 30V | |
| 最大功率耗散 | 270 W | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 配置 | 单 | |
| 封装类型 | PG-TO263 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 80 A | ||
最大集电极-发射极电压 650 V | ||
最大栅极发射极电压 30V | ||
最大功率耗散 270 W | ||
晶体管数 1 | ||
配置 单 | ||
封装类型 PG-TO263 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
Infineon IGB50N65S 是 50 A IGBT ，带反并联二极管，无需栅极夹紧组件。在这种无尾线电流的软电流下降特性中，它是出色的，用于并联。
25°C 时具有 1.35 V 的极低 VCEsat
最大接点温度 Tvj 175°C
四倍额定电流
最大接点温度 Tvj 175°C
四倍额定电流