Infineon N型沟道, IGB50N65S5ATMA1 IGBT, Ic 80 A, VCEO 650 V, 3引脚, PG-TO-263, 表面安装
- RS 库存编号:
- 226-6063
- 制造商零件编号:
- IGB50N65S5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 245 | RMB23.782 | RMB118.91 |
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| 500 + | RMB22.366 | RMB111.83 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 226-6063
- 制造商零件编号:
- IGB50N65S5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 80A | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 650V | |
| 最大功耗 Pd | 270W | |
| 包装类型 | PG-TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 1.7V | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | 30 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 系列 | TrenchStop | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 Ic 80A | ||
产品类型 IGBT | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 650V | ||
最大功耗 Pd 270W | ||
包装类型 PG-TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
槽架类型 N型 | ||
引脚数目 3 | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 1.7V | ||
最大栅极发射极电压 VGEO 30 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
系列 TrenchStop | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IGB50N65S 是 50 A IGBT ，带反并联二极管，无需栅极夹紧组件。在这种无尾线电流的软电流下降特性中，它是出色的，用于并联。
25°C 时具有 1.35 V 的极低 VCEsat
最大接点温度 Tvj 175°C
四倍额定电流