Infineon N沟道IGBT, Ic 12 A, VCEO 600 V, 3针, PG-TO252
- RS 库存编号:
- 226-6073
- 制造商零件编号:
- IGD06N60TATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 2500 - 10000 | RMB2.301 | RMB5,752.50 |
| 12500 + | RMB2.255 | RMB5,637.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 226-6073
- 制造商零件编号:
- IGD06N60TATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 12 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 600 V | |
| 最大栅极发射极电压 | 20V | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 最大功率耗散 | 88 W | |
| 封装类型 | PG-TO252 | |
| 配置 | 单 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 12 A | ||
最大集电极-发射极电压 600 V | ||
最大栅极发射极电压 20V | ||
晶体管数 1 | ||
最大功率耗散 88 W | ||
封装类型 PG-TO252 | ||
配置 单 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
Infineon IGD06N60T 是非常柔软，快速恢复的防并联发射器控制二极管，且具有高坚固性，温度稳定行为。它具有低切换损耗。
极低 VCE (sat) 1.5 V (典型值)
最大接点温度 175°C
短路耐受时间为 5 微秒
最大接点温度 175°C
短路耐受时间为 5 微秒