Infineon N型沟道 IGBT 单晶体管 IC, Ic 12 A, VCEO 600 V, 3引脚, TO-252, 表面安装

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RS 库存编号:
226-6073
制造商零件编号:
IGD06N60TATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

最大连续集电极电流 Ic

12A

产品类型

IGBT 单晶体管 IC

最大集电极-发射极电压 Vceo

600V

最大功耗 Pd

88W

包装类型

TO-252

安装类型

表面

槽架类型

N型

引脚数目

3

最大栅极发射极电压 VGEO

20 V

最低工作温度

-40°C

最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT

1.5V

最高工作温度

175°C

系列

TRENCHSTOPTM

标准/认证

JEDEC1

汽车标准

Infineon IGD06N60T 是非常柔软,快速恢复的防并联发射器控制二极管,且具有高坚固性,温度稳定行为。它具有低切换损耗。

极低 VCE (sat) 1.5 V (典型值)

最大接点温度 175°C

短路耐受时间为 5 微秒