Infineon N沟道IGBT, Ic 12 A, VCEO 600 V, 3针, PG-TO252

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包装方式:
RS 库存编号:
226-6074
制造商零件编号:
IGD06N60TATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

最大连续集电极电流

12 A

最大集电极-发射极电压

600 V

最大栅极发射极电压

20V

晶体管数

1

最大功率耗散

88 W

封装类型

PG-TO252

配置

通道类型

N

引脚数目

3

晶体管配置

Infineon IGD06N60T 是非常柔软,快速恢复的防并联发射器控制二极管,且具有高坚固性,温度稳定行为。它具有低切换损耗。

极低 VCE (sat) 1.5 V (典型值)
最大接点温度 175°C
短路耐受时间为 5 微秒

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。