Infineon N沟道IGBT单晶体管芯片, 3针, Ic 30 A, VCEO 1.2 kV, TO-247, Resonant Soft-Switching系列

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RS 库存编号:
226-6075
制造商零件编号:
IHW15N120E1XKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

IGBT单晶体管芯片

最大连续集电极电流 Ic

30A

最大集电极-发射极电压 Vceo

1.2kV

最大功耗 Pd

156W

包装类型

TO-247

安装类型

通孔

槽架类型

N

引脚数目

3

最低工作温度

-40°C

最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT

1.5V

最大栅极发射极电压 VGEO

25 V

最高工作温度

150°C

长度

42mm

标准/认证

JEDEC for target applications

宽度

16.13mm

系列

Resonant Soft-Switching

高度

5.21mm

汽车标准

否

Infineon IHW15N120E1 功率全单片主体二极管，具有低正向电压，设计仅用于软换向，且具有高坚固性，温度稳定行为，具有低 VCEsat。

非常紧密的参数分布

低 EMI

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