Infineon N沟道IGBT, Ic 30 A, VCEO 1200 V, 3针, PG-TO247
- RS 库存编号:
- 226-6076P
- 制造商零件编号:
- IHW15N120E1XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 10 | RMB20.174 |
| 15 + | RMB19.164 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 226-6076P
- 制造商零件编号:
- IHW15N120E1XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 30 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200 V | |
| 最大栅极发射极电压 | 25V | |
| 最大功率耗散 | 156 W | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 封装类型 | PG-TO247 | |
| 配置 | 单 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 30 A | ||
最大集电极-发射极电压 1200 V | ||
最大栅极发射极电压 25V | ||
最大功率耗散 156 W | ||
晶体管数 1 | ||
封装类型 PG-TO247 | ||
配置 单 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
Infineon IHW15N120E1 功率全单片主体二极管，具有低正向电压，设计仅用于软换向，且具有高坚固性，温度稳定行为，具有低 VCEsat。
非常紧密的参数分布
低 EMI
低 EMI