Infineon N沟道IGBT, Ic 25 A, VCEO 650 V, 3针, PG-TO220

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包装方式:
RS 库存编号:
226-6080
制造商零件编号:
IKA10N65ET6XKSA2
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

最大连续集电极电流

25 A

最大集电极-发射极电压

650 V

最大栅极发射极电压

30V

最大功率耗散

32.5 W

晶体管数

1

配置

封装类型

PG-TO220

通道类型

N

引脚数目

3

晶体管配置

Infineon IKA10N65ET6 具有良好的热性能,尤其是在更高频率下,并增加了设计边界和可靠性。它是非常柔软,快速恢复的防并联 Rapid 二极管。

极低 VCE (sat) 1.5V (典型值)
最大接点温度 175°C
低栅极电压 QG
无铅引线电镀符合 RoHS 标准

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。