Infineon N沟道IGBT, Ic 62 A, VCEO 650 V, 3针, PG-TO220

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包装方式:
RS 库存编号:
226-6105P
制造商零件编号:
IKP39N65ES5XKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

最大连续集电极电流

62 A

最大集电极-发射极电压

650 V

最大栅极发射极电压

30V

最大功率耗散

188 W

晶体管数

1

封装类型

PG-TO220

配置

通道类型

N

引脚数目

3

晶体管配置

Infineon IKP39N65ES5 在 TO-220 封装中具有最高功率密度,无需门夹紧组件。在这种无尾线电流的软电流下降特性中,它是出色的,用于并联。

25°C 时具有 1.45 V 的极低 VCEsat
4 倍 IC 脉冲电流 (100°C TC)
最大接点温度 Tvj 175°C

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。