Infineon N沟道IGBT, Ic 160 A, VCEO 600 V, 3针, PG-TO247

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RS 库存编号:
226-6108
制造商零件编号:
IKQ120N60TXKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

最大连续集电极电流

160 A

最大集电极-发射极电压

600 V

最大栅极发射极电压

20V

晶体管数

1

最大功率耗散

833 瓦

封装类型

PG-TO247

配置

通道类型

N

引脚数目

3

晶体管配置

Infineon IKQ120N60T 具有 600 V 硬切换 IGBT 分离器,带反并联二极管,使用更高的系统功率密度 IC ,可提高保持相同的系统热性能,并具有更高的可靠性和更长的设备使用寿命。

活性导热垫面积增加 35% ,热阻 R th (JH) 降低 20%
扩展爬电距离为 4.25 mm –比 TO-247 大 2 mm

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。