Infineon N沟道IGBT, Ic 160 A, VCEO 600 V, 3针, PG-TO247
- RS 库存编号:
- 226-6109P
- 制造商零件编号:
- IKQ120N60TXKSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 8 - 14 | RMB71.62 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 226-6109P
- 制造商零件编号:
- IKQ120N60TXKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 160 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 600 V | |
| 最大栅极发射极电压 | 20V | |
| 最大功率耗散 | 833 瓦 | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 配置 | 单 | |
| 封装类型 | PG-TO247 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 160 A | ||
最大集电极-发射极电压 600 V | ||
最大栅极发射极电压 20V | ||
最大功率耗散 833 瓦 | ||
晶体管数 1 | ||
配置 单 | ||
封装类型 PG-TO247 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
Infineon IKQ120N60T 具有 600 V 硬切换 IGBT 分离器，带反并联二极管，使用更高的系统功率密度 IC ，可提高保持相同的系统热性能，并具有更高的可靠性和更长的设备使用寿命。
活性导热垫面积增加 35% ，热阻 R th (JH) 降低 20%
扩展爬电距离为 4.25 mm –比 TO-247 大 2 mm
扩展爬电距离为 4.25 mm –比 TO-247 大 2 mm