Infineon N型沟道 IGBT 单晶体管 IC, Ic 160 A, VCEO 600 V, 3引脚, TO-247, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 226-6109P
- 制造商零件编号:
- IKQ120N60TXKSA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 226-6109P
- 制造商零件编号:
- IKQ120N60TXKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | IGBT 单晶体管 IC | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 160A | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 600V | |
| 最大功耗 Pd | 833W | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 1.5V | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | 20 V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 15.9 mm | |
| 长度 | 41.2mm | |
| 高度 | 5.1mm | |
| 系列 | TrenchStop | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 IGBT 单晶体管 IC | ||
最大连续集电极电流 Ic 160A | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 600V | ||
最大功耗 Pd 833W | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
槽架类型 N型 | ||
引脚数目 3 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 1.5V | ||
最大栅极发射极电压 VGEO 20 V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 15.9 mm | ||
长度 41.2mm | ||
高度 5.1mm | ||
系列 TrenchStop | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IKQ120N60T 具有 600 V 硬切换 IGBT 分离器，带反并联二极管，使用更高的系统功率密度 IC ，可提高保持相同的系统热性能，并具有更高的可靠性和更长的设备使用寿命。
活性导热垫面积增加 35% ，热阻 R th (JH) 降低 20%
扩展爬电距离为 4.25 mm –比 TO-247 大 2 mm