Infineon N型沟道, IKQ75N120CS6XKSA1 IGBT 单晶体管 IC, Ic 150 A, VCEO 1200 V, 3引脚, TO-247, 通孔安装, 31 ns
- RS 库存编号:
- 226-6111
- Distrelec 货号:
- 303-41-207
- 制造商零件编号:
- IKQ75N120CS6XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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- 226-6111
- Distrelec 货号:
- 303-41-207
- 制造商零件编号:
- IKQ75N120CS6XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | IGBT 单晶体管 IC | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 150A | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 1200V | |
| 最大功耗 Pd | 880W | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 开关速度 | 31ns | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 1.85V | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | 25 V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | JEDEC47/20/22 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 IGBT 单晶体管 IC | ||
最大连续集电极电流 Ic 150A | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 1200V | ||
最大功耗 Pd 880W | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
槽架类型 N型 | ||
引脚数目 3 | ||
开关速度 31ns | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 1.85V | ||
最大栅极发射极电压 VGEO 25 V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 JEDEC47/20/22 | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 5 A IGBT 带反并联二极管，是非常柔软，快速恢复的反并联二极管，具有高坚固性，温度稳定行为。它使用低栅极电荷。
低 EMI
低栅极电荷 QG
低饱和电压 (如果为 1.85 V) ，结合低切换损耗