Infineon N沟道IGBT, Ic 150 A, VCEO 1200 V, 3针, PG-TO247
- RS 库存编号:
- 226-6111P
- 制造商零件编号:
- IKQ75N120CS6XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 226-6111P
- 制造商零件编号:
- IKQ75N120CS6XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 150 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200 V | |
| 最大栅极发射极电压 | 25V | |
| 最大功率耗散 | 880 W | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 配置 | 单 | |
| 封装类型 | PG-TO247 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 150 A | ||
最大集电极-发射极电压 1200 V | ||
最大栅极发射极电压 25V | ||
最大功率耗散 880 W | ||
晶体管数 1 | ||
配置 单 | ||
封装类型 PG-TO247 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
Infineon 5 A IGBT 带反并联二极管，是非常柔软，快速恢复的反并联二极管，具有高坚固性，温度稳定行为。它使用低栅极电荷。
低 EMI
低栅极电荷 QG
低饱和电压 (如果为 1.85 V) ，结合低切换损耗
低栅极电荷 QG
低饱和电压 (如果为 1.85 V) ，结合低切换损耗