Infineon N沟道IGBT, Ic 85 A, VCEO 650 V, 3针, PG-TO247
- RS 库存编号:
- 226-6112
- 制造商零件编号:
- IKW30N65EL5XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | RMB16.974 | RMB509.22 |
| 60 - 90 | RMB16.634 | RMB499.02 |
| 120 + | RMB16.302 | RMB489.06 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 226-6112
- 制造商零件编号:
- IKW30N65EL5XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 85 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V | |
| 最大栅极发射极电压 | 30V | |
| 最大功率耗散 | 227 W | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 封装类型 | PG-TO247 | |
| 配置 | 单 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 85 A | ||
最大集电极-发射极电压 650 V | ||
最大栅极发射极电压 30V | ||
最大功率耗散 227 W | ||
晶体管数 1 | ||
封装类型 PG-TO247 | ||
配置 单 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
Infineon IKW30N65EL5 具有 650V 击穿电压，使用极低的集电极 - 发射极饱和电压，并在 50Hz 时具有更高的效率。它具有更长的使用寿命和更高的 IGBT 可靠性。
低栅极电荷 QG
最大接点温度 175°C
符合 JEDEC 标准，适用于目标应用
最大接点温度 175°C
符合 JEDEC 标准，适用于目标应用