Infineon N沟道IGBT单晶体管芯片, 3针, Ic 85 A, VCEO 650 V, TO-247, LowVCE(sat) Fifth Generation系列
- RS 库存编号:
- 226-6113P
- 制造商零件编号:
- IKW30N65EL5XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 226-6113P
- 制造商零件编号:
- IKW30N65EL5XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 85A | |
| 产品类型 | IGBT单晶体管芯片 | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 650V | |
| 最大功耗 Pd | 227W | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 槽架类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 1.5V | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | 30 V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 5.3mm | |
| 长度 | 41.9mm | |
| 系列 | LowVCE(sat) Fifth Generation | |
| 宽度 | 16.3mm | |
| 标准/认证 | JEDEC | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 Ic 85A | ||
产品类型 IGBT单晶体管芯片 | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 650V | ||
最大功耗 Pd 227W | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
槽架类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 1.5V | ||
最大栅极发射极电压 VGEO 30 V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 5.3mm | ||
长度 41.9mm | ||
系列 LowVCE(sat) Fifth Generation | ||
宽度 16.3mm | ||
标准/认证 JEDEC | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IKW30N65EL5 具有 650V 击穿电压，使用极低的集电极 - 发射极饱和电压，并在 50Hz 时具有更高的效率。它具有更长的使用寿命和更高的 IGBT 可靠性。
低栅极电荷 QG
最大接点温度 175°C
符合 JEDEC 标准，适用于目标应用