Infineon N沟道IGBT, Ic 74 A, VCEO 650 V, 3针, PG-TO247
- RS Stock No.:
- 226-6115
- Mfr. Part No.:
- IKW40N65F5FKSA1
- Brand:
- Infineon
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|---|---|---|
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| 15 + | RMB28.544 | RMB142.72 |
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- RS Stock No.:
- 226-6115
- Mfr. Part No.:
- IKW40N65F5FKSA1
- Brand:
- Infineon
Specifications
Technical Reference
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Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 74 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V | |
| 最大栅极发射极电压 | 30V | |
| 最大功率耗散 | 255 W | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 封装类型 | PG-TO247 | |
| 配置 | 单 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| Select all | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 74 A | ||
最大集电极-发射极电压 650 V | ||
最大栅极发射极电压 30V | ||
最大功率耗散 255 W | ||
晶体管数 1 | ||
封装类型 PG-TO247 | ||
配置 单 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
Infineon IKW40N65F5 是 650 V 高速硬切换 IGBT ，与 Rapid SI-DIODE 技术一起使用。它具有更高的功率密度设计和低 COES/EOSS。
因子 2.5 ，下 Qg
因素 2 减少切换损耗
VCEsat 降低 200mV
因素 2 减少切换损耗
VCEsat 降低 200mV