Infineon N沟道IGBT, Ic 80 A, VCEO 650 V, 3针, PG-TO247
- RS 库存编号:
- 226-6118
- 制造商零件编号:
- IKW50N65EH5XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 226-6118
- 制造商零件编号:
- IKW50N65EH5XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 80 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V | |
| 最大栅极发射极电压 | 30V | |
| 最大功率耗散 | 275 W | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 配置 | 单 | |
| 封装类型 | PG-TO247 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 80 A | ||
最大集电极-发射极电压 650 V | ||
最大栅极发射极电压 30V | ||
最大功率耗散 275 W | ||
晶体管数 1 | ||
配置 单 | ||
封装类型 PG-TO247 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
Infineon IKW50N65EH5 是 650 V 高速硬切换 IGBT ，与 Rapid SI-DIODE 技术一起使用。它具有更高的功率密度设计和低 COES/EOSS。
因子 2.5 ，下 Qg
因素 2 减少切换损耗
VCEsat 降低 200mV
因素 2 减少切换损耗
VCEsat 降低 200mV