Infineon N型沟道, IKW50N65EH5XKSA1 IGBT, Ic 80 A, VCEO 650 V, 3引脚, TO-247, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 226-6118
- 制造商零件编号:
- IKW50N65EH5XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 226-6118
- 制造商零件编号:
- IKW50N65EH5XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 80A | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 650V | |
| 最大功耗 Pd | 275W | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | 30 V | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 1.65V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | JEDEC | |
| 宽度 | 16.13 mm | |
| 系列 | High Speed Fifth Generation | |
| 长度 | 41.42mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 IGBT | ||
最大连续集电极电流 Ic 80A | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 650V | ||
最大功耗 Pd 275W | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
槽架类型 N型 | ||
引脚数目 3 | ||
最大栅极发射极电压 VGEO 30 V | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 1.65V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 JEDEC | ||
宽度 16.13 mm | ||
系列 High Speed Fifth Generation | ||
长度 41.42mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IKW50N65EH5 是 650 V 高速硬切换 IGBT ，与 Rapid SI-DIODE 技术一起使用。它具有更高的功率密度设计和低 COES/EOSS。
因子 2.5 ，下 Qg
因素 2 减少切换损耗
VCEsat 降低 200mV