Infineon N沟道IGBT, 3针, Ic 80 A, VCEO 650 V, TO-247, High Speed Fifth Generation系列

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包装方式：
RS 库存编号:
226-6118P
制造商零件编号:
IKW50N65EH5XKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

IGBT

最大连续集电极电流 Ic

80A

最大集电极-发射极电压 Vceo

650V

最大功耗 Pd

275W

包装类型

TO-247

安装类型

通孔

槽架类型

N

引脚数目

3

最大栅极发射极电压 VGEO

30 V

最低工作温度

-40°C

最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT

1.65V

最高工作温度

175°C

系列

High Speed Fifth Generation

宽度

16.13mm

长度

41.42mm

标准/认证

JEDEC

汽车标准

否

Infineon 高速第五代系列 IGBT,650V 最大集电极发射极电压,80A 最大连续集电极电流 - IKW50N65EH5XKSA1


这款 IGBT 是一款功率半导体设备,设计用于在电力电子系统中切换和控制高压高电流负载。它专为需要强大的热量范围和高连续电流处理的应用而设计,采用通孔 TO-247 封装,适用于传统安装和散热器。

特性和优点：


• 650V 集电极-发射极额定值可处理高压电路
• 80A 连续集电极电流支持大负载驱动应用
• 1.65V Vce(sat)可减少高电流流动时的传导损耗
• 275W 功耗可在负载条件下实现持久的热负载
• 最大 30V 栅极发射极允许强大的栅极驱动空间
• 工作温度范围为-40°C至175°C,适用于宽泛的温度环境

应用


• 适用于工业驱动器中的变频器级
• 适用于高压电源转换模块
• 适用于需要高电流的大型电机控制器
• 可用于重型系统中的开关模式电源
• 适用于采用通孔组装的机架式电力电子产品

它采用什么封装和安装方式？


它采用 TO-247 封装,专为通孔安装而设计。

为避免损坏,我必须遵守哪些闩锁限制?


在任何工作条件下,栅极发射极电压均不得超过30V。

它在高环境温度下的性能如何？


它的额定工作温度高达175°C,指定功耗高达275W,可管理热负载。

它是否适用于汽车标准设计?


它不属于汽车标准分类,不应被认为符合这些应用。

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