onsemi N沟道智能功率模块, 6个串行晶体管, VCEO 600 V, 29针, SIP
- RS 库存编号:
- 229-6436
- 制造商零件编号:
- NFAP0560L3TT
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB73.68 |
| 10 - 19 | RMB72.20 |
| 20 - 49 | RMB70.76 |
| 50 - 99 | RMB69.35 |
| 100 + | RMB67.96 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 229-6436
- 制造商零件编号:
- NFAP0560L3TT
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 最大集电极-发射极电压 | 600 V | |
| 晶体管数 | 6 | |
| 最大功率耗散 | 12 W | |
| 封装类型 | SIP | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 29 | |
| 晶体管配置 | 串行 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
最大集电极-发射极电压 600 V | ||
晶体管数 6 | ||
最大功率耗散 12 W | ||
封装类型 SIP | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 29 | ||
晶体管配置 串行 | ||
ON Semiconductor 完全集成的反相器功率级包括一个高电压驱动器，六个 IGBT 和一个热敏电阻，适用于驱动永磁同步电动机，无刷直流电动机和交流异步电动机。IGBT 配置在 3 相桥中，带有单独的发射器连接，用于较低的支脚，以在选择控制算法时提供最大的灵活性。
可以使用高精度监视器
单个电源设备驱动器通过对上部电源设备使用引导电路来启用
内置欠电压保护
紧凑型尺寸有助于减少印刷电路板尺寸
单个电源设备驱动器通过对上部电源设备使用引导电路来启用
内置欠电压保护
紧凑型尺寸有助于减少印刷电路板尺寸