onsemi N沟道智能功率模块, 6个串行晶体管, VCEO 600 V, 29针, SIP

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RS 库存编号:
229-6436P
制造商零件编号:
NFAP0560L3TT
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

最大集电极-发射极电压

600 V

晶体管数

6

最大功率耗散

12 W

封装类型

SIP

通道类型

N

引脚数目

29

晶体管配置

串行

ON Semiconductor 完全集成的反相器功率级包括一个高电压驱动器,六个 IGBT 和一个热敏电阻,适用于驱动永磁同步电动机,无刷直流电动机和交流异步电动机。IGBT 配置在 3 相桥中,带有单独的发射器连接,用于较低的支脚,以在选择控制算法时提供最大的灵活性。

可以使用高精度监视器
单个电源设备驱动器通过对上部电源设备使用引导电路来启用
内置欠电压保护
紧凑型尺寸有助于减少印刷电路板尺寸

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。