onsemi N沟道智能功率模块, 6个串行晶体管, VCEO 600 V, 38针, DIP
- RS 库存编号:
- 229-6438
- 制造商零件编号:
- NFAQ1560R43T
- 制造商:
- onsemi
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 229-6438
- 制造商零件编号:
- NFAQ1560R43T
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 最大集电极-发射极电压 | 600 V | |
| 最大功率耗散 | 50 W | |
| 晶体管数 | 6 | |
| 封装类型 | DIP | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 38 | |
| 晶体管配置 | 串行 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
最大集电极-发射极电压 600 V | ||
最大功率耗散 50 W | ||
晶体管数 6 | ||
封装类型 DIP | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 38 | ||
晶体管配置 串行 | ||
ON Semiconductor 完全集成的反相器功率级包括一个高电压驱动器，六个 IGBT 和一个热敏电阻，适用于驱动永磁同步电动机，无刷直流电动机和交流异步电动机。IGBT 配置在 3 相桥中，带有单独的发射器连接，用于较低的支脚，以在选择控制算法时提供最大的灵活性。
DBC 具有良好的散热性
通过高功率密度优化损耗和 EMI
多功能集成，用于紧凑型设计
通过嵌入式 NTC 实现更准确的模块温度测量
集成限幅二极管和电阻器
通过高功率密度优化损耗和 EMI
多功能集成，用于紧凑型设计
通过嵌入式 NTC 实现更准确的模块温度测量
集成限幅二极管和电阻器