Infineon IGBT模块, 双个串行晶体管, Ic 600 A, VCEO 1200 V, AG-ECONOD, 底盘安装
- RS 库存编号:
- 232-3044
- 制造商零件编号:
- FF600R12ME7B11BPSA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 232-3044
- 制造商零件编号:
- FF600R12ME7B11BPSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 600 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200 V | |
| 最大栅极发射极电压 | 20V | |
| 晶体管数 | 2 | |
| 最大功率耗散 | 20 mW | |
| 配置 | 双 | |
| 封装类型 | AG-ECONOD | |
| 安装类型 | 底盘 | |
| 晶体管配置 | 串行 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 600 A | ||
最大集电极-发射极电压 1200 V | ||
最大栅极发射极电压 20V | ||
晶体管数 2 | ||
最大功率耗散 20 mW | ||
配置 双 | ||
封装类型 AG-ECONOD | ||
安装类型 底盘 | ||
晶体管配置 串行 | ||
Infineon 具有 EconoDUAL 1200 V ， 600 A 双 TRENCHSTOP IGBT7 模块，采用发射器控制的 7 二极管， NTC 和压配触点技术。此模块具有高互连可靠性，适用于压入和焊接过程。
高功率密度
隔离基板
压配触点技术
标准外壳
隔离基板
压配触点技术
标准外壳