Infineon N沟道IGBT, 7个3 相晶体管, Ic 35 A, VCEO 1200 V, 23针, 模块, 底盘安装

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包装方式:
RS 库存编号:
232-6707
制造商零件编号:
FP35R12N2T7B11BPSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

最大连续集电极电流

35 A

最大集电极-发射极电压

1200 V

最大栅极发射极电压

±20V

最大功率耗散

20 mW

晶体管数

7

封装类型

模块

配置

3 相

安装类型

底盘

通道类型

N

引脚数目

23

晶体管配置

3 相

Infineon 的 EconoPIM 2 , 35 A 三相 PIM IGBT 模块采用 TRENCHSTOP IGBT7 ,发射极控制 7 二极管, NTC 和压配触点技术。集成整流器和制动斩波器的 PIM (电源集成模块) 可节省系统成本。潜在应用包括辅助变频器,电动机驱动器和伺服驱动器。

符合 RoHS 标准的模块
铜基板,用于优化散热
高功率密度

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。