Infineon N沟道IGBT, 7个3 相晶体管, Ic 75 A, VCEO 1200 V, 31针, 模块, 底盘安装
- RS 库存编号:
- 232-6717
- 制造商零件编号:
- FP75R12N2T7B11BPSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB910.00 |
| 10 - 19 | RMB891.83 |
| 20 - 29 | RMB873.95 |
| 30 - 39 | RMB856.51 |
| 40 + | RMB839.38 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 232-6717
- 制造商零件编号:
- FP75R12N2T7B11BPSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 75 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 20 mW | |
| 晶体管数 | 7 | |
| 封装类型 | 模块 | |
| 配置 | 3 相 | |
| 安装类型 | 底盘 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 31 | |
| 晶体管配置 | 3 相 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 75 A | ||
最大集电极-发射极电压 1200 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 20 mW | ||
晶体管数 7 | ||
封装类型 模块 | ||
配置 3 相 | ||
安装类型 底盘 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 31 | ||
晶体管配置 3 相 | ||
Infineon 的 EconoPIM 2 ， 75 A 三相 PIM IGBT 模块采用 TRENCHSTOP IGBT7 ，发射极控制 7 二极管， NTC 和压配触点技术。集成整流器和制动斩波器的 PIM (电源集成模块) 可节省系统成本。潜在应用包括辅助变频器，电动机驱动器和伺服驱动器。
符合 RoHS 标准的模块
铜基板，用于优化散热
高功率密度
铜基板，用于优化散热
高功率密度