Infineon N沟道IGBT, Ic 8 A, VCEO 1200 V, 3针, TO-247-3, 通孔安装

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包装方式:
RS 库存编号:
232-6724P
制造商零件编号:
IKW08N120CS7XKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

最大连续集电极电流

8 A

最大集电极-发射极电压

1200 V

最大栅极发射极电压

±20V

最大功率耗散

106 W

晶体管数

1

配置

封装类型

TO-247-3

安装类型

通孔

通道类型

N

引脚数目

3

晶体管配置

Infineon 的 8 A TRENCHSTOP IGBT7 S7 分立元件采用 TO-247 封装,内部带 EC7 二极管。它提供低 VCEsat ,可在目标应用中实现非常低的传导损耗,并且该共封装的极软和快速发射器控制二极管有助于有效减少切换损耗,有助于实现整体低总损耗。潜在应用包括工业驱动器,工业电源和太阳能逆变器。

良好的可控性
全额定续流二极管,具有更高的柔软性
更高的功率密度,无需重新设计散热器
易于设计,符合 EMI 要求

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。