Infineon N型沟道 IGBT, 1个, Ic 8 A, VCEO 1200 V, 3引脚, TO-247, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 232-6724P
- 制造商零件编号:
- IKW08N120CS7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 232-6724P
- 制造商零件编号:
- IKW08N120CS7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 8A | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 1200V | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | 20 V | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 2V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 5.3mm | |
| 长度 | 21.5mm | |
| 系列 | IKW08N120CS7 | |
| 标准/认证 | JEDEC47/20/22 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 Ic 8A | ||
产品类型 IGBT | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 1200V | ||
晶体管数 1 | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
槽架类型 N型 | ||
引脚数目 3 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅极发射极电压 VGEO 20 V | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2V | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 5.3mm | ||
长度 21.5mm | ||
系列 IKW08N120CS7 | ||
标准/认证 JEDEC47/20/22 | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 的 8 A TRENCHSTOP IGBT7 S7 分立元件采用 TO-247 封装，内部带 EC7 二极管。它提供低 VCEsat ，可在目标应用中实现非常低的传导损耗，并且该共封装的极软和快速发射器控制二极管有助于有效减少切换损耗，有助于实现整体低总损耗。潜在应用包括工业驱动器，工业电源和太阳能逆变器。
良好的可控性
全额定续流二极管，具有更高的柔软性
更高的功率密度，无需重新设计散热器
易于设计，符合 EMI 要求