Infineon N沟道 IGBT, 1个, Ic 25 A, VCEO 1200 V, 3引脚, TO-247, 通孔安装

Name: Infineon N沟道 IGBT, 1个, Ic 25 A, VCEO 1200 V, 3引脚, TO-247, 通孔安装
Brand: Infineon
SKU: 232-6728P
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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	IGBT
	最大连续集电极电流 Ic	25A
	最大集电极-发射极电压 Vceo	1200V
	晶体管数	1
	包装类型	TO-247
	安装类型	通孔
	槽架类型	N
	引脚数目	3
	最低工作温度	-55°C
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT	2V
	最大栅极发射极电压 VGEO	±20 V
	最高工作温度	175°C
	长度	21.5mm
	系列	TRENCHSTOPTM IGBT 7 technology
	标准/认证	JEDEC47/20/22
	宽度	16.3mm
	高度	5.3mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 IGBT
	最大连续集电极电流 Ic 25A
	最大集电极-发射极电压 Vceo 1200V
	晶体管数 1
	包装类型 TO-247
	安装类型通孔
	槽架类型 N
	引脚数目 3
	最低工作温度 -55°C
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2V
	最大栅极发射极电压 VGEO ±20 V
	最高工作温度 175°C
	长度 21.5mm
	系列 TRENCHSTOPTM IGBT 7 technology
	标准/认证 JEDEC47/20/22
	宽度 16.3mm
	高度 5.3mm
	汽车标准否

这款 IGBT 是一款通孔功率晶体管,专为工业应用中的高压开关而设计。它作为 TO-247 封装的 N 通道设备运行,适用于需要强大的集电极-发射极阻塞和栅极控制的电路。该组件专为在宽环境范围内使用而设计,并符合公认的设备安装标准。

• 1200 V 集电极-发射极额定值,具有高压开关能力
• 25A 连续集电极电流,可实现持久负载处理
• ±20 V 栅极发射极容差,可实现灵活的栅极驱动边缘
• 2 V 最大 Vce(sat),可在额定电流下降低传导损耗
• 额定温度高达175°C,适用于高温环境

• 适用于高压电源转换器和反相器
• 非常适合工业设备的开关模式电源
• 适用于需要持续处理电流的电机驱动装置
• 可用于电源系统中的电感负载开关

它采用 TO-247 封装,专为通孔安装而设计,便于散热和板安装。

它的额定工作温度范围为-55°C至175°C。

该设备在封装中包含一个晶体管元件。

它通过了符合 JEDEC 47/20/22 测试标准的认证。

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