Infineon N沟道IGBT, Ic 50 A, VCEO 1200 V, 3针, TO-247-3, 通孔安装
- RS Stock No.:
- 232-6732P
- Mfr. Part No.:
- IKW50N120CS7XKSA1
- Brand:
- Infineon
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- RS Stock No.:
- 232-6732P
- Mfr. Part No.:
- IKW50N120CS7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Specifications
Technical Reference
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Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 50 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 最大功率耗散 | 428 W | |
| 封装类型 | TO-247-3 | |
| 配置 | 单 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| Select all | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 50 A | ||
最大集电极-发射极电压 1200 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
晶体管数 1 | ||
最大功率耗散 428 W | ||
封装类型 TO-247-3 | ||
配置 单 | ||
安装类型 通孔 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
Infineon 的 50 A TRENCHSTOP IGBT7 S7 分立元件采用 TO-247 封装，内部带 EC7 二极管。它提供低 VCEsat ，可在目标应用中实现非常低的传导损耗，并且该共封装的极软和快速发射器控制二极管有助于有效减少切换损耗，有助于实现整体低总损耗。潜在应用包括工业驱动器，工业电源和太阳能逆变器。
良好的可控性
全额定续流二极管，具有更高的柔软性
更高的功率密度，无需重新设计散热器
易于设计，符合 EMI 要求
全额定续流二极管，具有更高的柔软性
更高的功率密度，无需重新设计散热器
易于设计，符合 EMI 要求