Infineon N沟道IGBT, Ic 20 A, VCEO 650 V, 3针, TO-247-3-HCC, 通孔安装

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RS 库存编号:
232-6733
制造商零件编号:
IKWH20N65WR6XKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

最大连续集电极电流

20 A

最大集电极-发射极电压

650 V

最大栅极发射极电压

±20V

最大功率耗散

70 W

晶体管数

1

封装类型

TO-247-3-HCC

配置

安装类型

通孔

通道类型

N

引脚数目

3

晶体管配置

Infineon 的 20 A 反向导电 TRENCHSTOP 5 WR6 IGBT 采用高蠕变年龄和间隙 TO-247-3-HCC 封装。它专门针对 PFC 优化,用于 RAC / CAC 和焊接逆变器应用。WR6 IGBT 的出色的性价比允许对成本敏感的客户访问高性能技术。WR6 提供最低的 VCEsat 和 ESW ,切换频率高达 75 kHz。WR6 IGBT 还可通过增加的间隙和蠕变老化距离实现更可靠的设计。

单片集成二极管
最低切换损耗
提高可靠性,防止包装污染

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