Infineon N沟道IGBT, Ic 30 A, VCEO 650 V, 3针, TO-247-3-HCC, 通孔安装

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包装方式:
RS 库存编号:
232-6736
制造商零件编号:
IKWH30N65WR5XKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

最大连续集电极电流

30 A

最大集电极-发射极电压

650 V

最大栅极发射极电压

±20V

晶体管数

1

最大功率耗散

95 W

封装类型

TO-247-3-HCC

配置

安装类型

通孔

通道类型

N

引脚数目

3

晶体管配置

Infineon 的 30 A 反向导电 TRENCHSTOP 5 WR5 IGBT 采用高蠕变年龄和间隙 TO-247-3-HCC 封装。它专门针对 RAC / CAC 中的 PFC 级和焊接应用中的直流 / 直流进行了优化。WR5 IGBT 的出色的性价比允许对价格敏感的客户访问高性能技术。TO-247-3-HCC 中的 WR5 IGBT 还可通过增加的间隙和蠕变距离实现更可靠的设计。

单片集成二极管
稳定的温度行为
提高可靠性,防止包装污染

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。