Infineon N沟道IGBT, Ic 30 A, VCEO 650 V, 3针, TO-247-3-HCC, 通孔安装
- RS Stock No.:
- 232-6736
- Mfr. Part No.:
- IKWH30N65WR5XKSA1
- Brand:
- Infineon
Bulk discount available
Subtotal (1 pack of 2 units)*
¥42.38
(exc. VAT)
¥47.88
(inc. VAT)
有库存
- 118 件将从其他地点发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
Units | Per unit | Per Pack* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB21.19 | RMB42.38 |
| 10 - 18 | RMB20.81 | RMB41.62 |
| 20 - 28 | RMB20.44 | RMB40.88 |
| 30 + | RMB20.075 | RMB40.15 |
*price indicative
- RS Stock No.:
- 232-6736
- Mfr. Part No.:
- IKWH30N65WR5XKSA1
- Brand:
- Infineon
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
Find similar products by selecting one or more attributes.
Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 30 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 最大功率耗散 | 95 W | |
| 封装类型 | TO-247-3-HCC | |
| 配置 | 单 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| Select all | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 30 A | ||
最大集电极-发射极电压 650 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
晶体管数 1 | ||
最大功率耗散 95 W | ||
封装类型 TO-247-3-HCC | ||
配置 单 | ||
安装类型 通孔 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
Infineon 的 30 A 反向导电 TRENCHSTOP 5 WR5 IGBT 采用高蠕变年龄和间隙 TO-247-3-HCC 封装。它专门针对 RAC / CAC 中的 PFC 级和焊接应用中的直流 / 直流进行了优化。WR5 IGBT 的出色的性价比允许对价格敏感的客户访问高性能技术。TO-247-3-HCC 中的 WR5 IGBT 还可通过增加的间隙和蠕变距离实现更可靠的设计。
单片集成二极管
稳定的温度行为
提高可靠性,防止包装污染
稳定的温度行为
提高可靠性,防止包装污染
