Infineon N沟道IGBT模块, 双个串行晶体管, Ic 600 A, VCEO 1200 V, AG-62MM
- RS 库存编号:
- 233-3498P
- 制造商零件编号:
- FF600R12KT4HOSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 2 - 2 | RMB1,282.52 |
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| 4 - 4 | RMB1,244.45 |
| 5 + | RMB1,219.56 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 233-3498P
- 制造商零件编号:
- FF600R12KT4HOSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 600 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 晶体管数 | 2 | |
| 封装类型 | AG-62 毫米 | |
| 配置 | 双 | |
| 通道类型 | N | |
| 晶体管配置 | 串行 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 600 A | ||
最大集电极-发射极电压 1200 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
晶体管数 2 | ||
封装类型 AG-62 毫米 | ||
配置 双 | ||
通道类型 N | ||
晶体管配置 串行 | ||
Infineon 双路快速沟道 IGBT 模块，带 TRENCHSTOP IGBT4 和发射器控制 4 二极管。
最高功率密度
灵活性
最佳电气性能
最高可靠性
灵活性
最佳电气性能
最高可靠性