ROHM N沟道IGBT共发射极晶体管, Ic 30 A, VCEO 650 V, 3针, TO-247N, 通孔安装

Bulk discount available

Subtotal (1 tube of 450 units)*

¥12,346.65

(exc. VAT)

¥13,951.80

(inc. VAT)

Add to Basket
Select or type quantity
库存信息目前无法查询
Units
Per unit
Per Tube*
450 - 450RMB27.437RMB12,346.65
900 - 2250RMB26.889RMB12,100.05
2700 +RMB26.082RMB11,736.90

*price indicative

RS Stock No.:
235-2752
Mfr. Part No.:
RGW60TS65EHRC11
Brand:
ROHM
Find similar products by selecting one or more attributes.
Select all

品牌

ROHM

最大连续集电极电流

30 A

最大集电极-发射极电压

650 V

最大栅极发射极电压

±30V

最大功率耗散

178 W

晶体管数

1

配置

封装类型

TO-247N

安装类型

通孔

通道类型

N

引脚数目

3

晶体管配置

共发射极

ROHM RGW 系列场截止沟道 IGBT 适用于汽车,板载和非板载计算机,直流 - 直流转换器, PFC ,工业变频器。它具有 650 V 的集电极发射器电压和 30 A 的集电极电流它具有高速切换功能,有助于提高应用效率。

符合 AEC-Q101
低集电极发射极饱和电压
低切换损耗和软切换
无铅引线电镀
符合 RoHS

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。