Infineon IGBT模块, 双个, Ic 825 A, VCEO 3300 V, AG-IHVB130
- RS 库存编号:
- 236-5199P
- 制造商零件编号:
- FZ825R33HE4DBPSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 2 + | RMB9,868.42 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 236-5199P
- 制造商零件编号:
- FZ825R33HE4DBPSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 825 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 3300 V | |
| 晶体管数 | 2 | |
| 最大功率耗散 | 2400 千瓦 | |
| 配置 | 单 | |
| 封装类型 | AG-IHVB130 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 825 A | ||
最大集电极-发射极电压 3300 V | ||
晶体管数 2 | ||
最大功率耗散 2400 千瓦 | ||
配置 单 | ||
封装类型 AG-IHVB130 | ||
Infineon 单开关 IGBT 模块配有 TRENCHSTOP ™ IGBT4 和发射器控制的 4 二极管。此模块具有高功率密度和 AlSiC 基板，用于提高热循环能力。
VCES 为 3300 V
IC 标称值为 825 A
ICRM 为 1650 A
它可保持高电流密度
IC 标称值为 825 A
ICRM 为 1650 A
它可保持高电流密度