Infineon IGBT, Ic 8 A, VCEO 600 V, PG-SOT223-3
- RS 库存编号:
- 240-8532
- 制造商零件编号:
- IKN06N60RC2ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | RMB2.086 | RMB6,258.00 |
| 6000 - 6000 | RMB2.045 | RMB6,135.00 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 240-8532
- 制造商零件编号:
- IKN06N60RC2ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 8 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 600 V | |
| 最大栅极发射极电压 | 20V | |
| 最大功率耗散 | 7.2 W | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 封装类型 | PG-SOT223-3 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 8 A | ||
最大集电极-发射极电压 600 V | ||
最大栅极发射极电压 20V | ||
最大功率耗散 7.2 W | ||
晶体管数 1 | ||
封装类型 PG-SOT223-3 | ||
Infineon RC 驱动 2 600 V ， 1 A IGBT 分离器，采用 PG- SOT-223 封装。与 RC-DF 相比，具有整体式集成二极管的 RC-D2 可提高性能，可控性和可靠性。它以极具竞争力的价格提供低切换损耗，且易于设计 - DPAK 和 SOT-223 中的嵌入式 SMD 替代品，具有高系统可靠性。
μs 可控性工作范围为 1 至 20 kHz 湿度坚固设计最大接点温度为 150°C 短路能力为 3 μ m 非常严格的参数分布无铅引线电镀，符合 RoHS 标准完整的产品频谱和香料型号