onsemi IGBT, 30个, Ic 80 A, VCEO 1200 V, TO-247
- RS 库存编号:
- 241-0724
- 制造商零件编号:
- FGH4L40T120LQD
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB44.09 |
| 10 - 24 | RMB43.03 |
| 25 - 49 | RMB42.01 |
| 50 - 99 | RMB41.00 |
| 100 + | RMB40.01 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 241-0724
- 制造商零件编号:
- FGH4L40T120LQD
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 最大连续集电极电流 | 80 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200 V | |
| 最大栅极发射极电压 | 20V | |
| 晶体管数 | 30 | |
| 最大功率耗散 | 153 W | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
最大连续集电极电流 80 A | ||
最大集电极-发射极电压 1200 V | ||
最大栅极发射极电压 20V | ||
晶体管数 30 | ||
最大功率耗散 153 W | ||
封装类型 TO-247 | ||
ON Semiconductor 1200 V ， 40 A 超场截止 IGBT。此 IGBT 使用快速切换共封装二极管，使其特别适用于硬切换应用，其中 EON ， IRRM 和 TRR 是决定损耗的重要因素。超场停止 IGBT 为低传导损耗设备提供出色的 切换损耗。
40 A 时低 VCE (sat) 1.55V
Eon 1.04mJ @ 600V/40A
Eoff 1.35mJ @ 600V/40A
IRRM 41.3A @ 175C 1A/ns 40A
Eon 1.04mJ @ 600V/40A
Eoff 1.35mJ @ 600V/40A
IRRM 41.3A @ 175C 1A/ns 40A