onsemi IGBT, 30个, Ic 200 A, VCEO 650 V, TO-247-4ld
- RS 库存编号:
- 241-0725
- 制造商零件编号:
- FGH4L50T65SQD
- 制造商:
- onsemi
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- RS 库存编号:
- 241-0725
- 制造商零件编号:
- FGH4L50T65SQD
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 最大连续集电极电流 | 200 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V | |
| 最大栅极发射极电压 | 15V | |
| 最大功率耗散 | 268 W | |
| 晶体管数 | 30 | |
| 封装类型 | TO-247-4ld | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
最大连续集电极电流 200 A | ||
最大集电极-发射极电压 650 V | ||
最大栅极发射极电压 15V | ||
最大功率耗散 268 W | ||
晶体管数 30 | ||
封装类型 TO-247-4ld | ||
ON Semiconductor 650 V、80 A FS4 高速 IGBT。它通过平衡 Vce(sat) 和 Eoff 损耗及可控关断 Vce 过冲来提供最佳性能。特别适合太阳能逆变器、UPS、电动汽车充电站、ESS 和其他高性能电源转换应用。
正温度系数
易于并联操作
低切换损耗
易于并联操作
低切换损耗