onsemi IGBT, 30个, Ic 80 A, VCEO 650 V, TO-247-4ld
- RS 库存编号:
- 241-0730P
- 制造商零件编号:
- FGHL50T65MQDTL4
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 24 | RMB35.89 |
| 25 - 49 | RMB34.97 |
| 50 - 99 | RMB34.05 |
| 100 + | RMB33.04 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 241-0730P
- 制造商零件编号:
- FGHL50T65MQDTL4
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 最大连续集电极电流 | 80 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V | |
| 最大栅极发射极电压 | 20V | |
| 晶体管数 | 30 | |
| 最大功率耗散 | 268 W | |
| 封装类型 | TO-247-4ld | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
最大连续集电极电流 80 A | ||
最大集电极-发射极电压 650 V | ||
最大栅极发射极电压 20V | ||
晶体管数 30 | ||
最大功率耗散 268 W | ||
封装类型 TO-247-4ld | ||
ON Semiconductor 650 V ， 50 A FS4 中切换速度 IGBT。这通过平衡 VCE (sat) 和 Eoff 损耗以及可控掉头 VCE 过冲来提供出众性能。非常适合太阳能逆变器， UPS ， EV 充电站， ESS 和其他高性能功率转换应用。
正温度系数
易于并联操作
低切换损耗
低传导损耗
易于并联操作
低切换损耗
低传导损耗