Infineon IGBT 单晶体管 IC, Ic 28 A, VCEO 650 V, TO-220
- RS 库存编号:
- 242-0980P
- 制造商零件编号:
- IKP28N65ES5XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 98 | RMB22.615 |
| 100 - 248 | RMB22.075 |
| 250 - 498 | RMB21.54 |
| 500 + | RMB21.03 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 242-0980P
- 制造商零件编号:
- IKP28N65ES5XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 28A | |
| 产品类型 | IGBT 单晶体管 IC | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 650V | |
| 最大功耗 Pd | 130W | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 1.9V | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | ±20 ±30 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 系列 | 5th Generation | |
| 标准/认证 | JEDEC47/20/22 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 Ic 28A | ||
产品类型 IGBT 单晶体管 IC | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 650V | ||
最大功耗 Pd 130W | ||
包装类型 TO-220 | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 1.9V | ||
最大栅极发射极电压 VGEO ±20 ±30 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
系列 5th Generation | ||
标准/认证 JEDEC47/20/22 | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 650 V, 28 A IGBT 配有反向并联二极管，采用 TO-220 封装。具有高电流密度、高效率、更快的上市时间、降低电路设计复杂度和可优化印刷电路板材料成本的特点。
适用于硬和软切式拓扑的高速平滑开关器件
175°C 的最大结温
无需栅极钳位元件