制造商编号

STMicroelectronics IGBT, VCEO 1200 V, 3引脚, 5 μs

RS 库存编号:: 244-3195P
制造商零件编号:: STGYA50H120DF2
制造商:: STMicroelectronics

STMicroelectronics IGBT, VCEO 1200 V, 3引脚, 5 μs

可享批量折扣

查看批量定价选项

小计 2 件 (按管提供)*

RMB111.44

(不含税)

RMB125.92

290 件将从其他地点发货

**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位	每单位
2 - 4	RMB55.72
5 - 9	RMB54.60
10 +	RMB53.51

* 参考价格

RS 库存编号:: 244-3195P
制造商零件编号:: STGYA50H120DF2
制造商:: STMicroelectronics

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	STMicroelectronics
	产品类型	IGBT
	最大集电极-发射极电压 Vceo	1200V
	最大功耗 Pd	535W
	引脚数目	3
	开关速度	5μs
	最大栅极发射极电压 VGEO	±20 V
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT	2.1V
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	No
	系列	H
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 STMicroelectronics
	产品类型 IGBT
	最大集电极-发射极电压 Vceo 1200V
	最大功耗 Pd 535W
	引脚数目 3
	开关速度 5μs
	最大栅极发射极电压 VGEO ±20 V
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2.1V
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 No
	系列 H
	汽车标准否

Datasheet - STGYA50H120DF2ST

STMicroelectronics IGBT 使用 Advanced 专有沟道栅极场停止结构开发。此设备是 H 系列 IGBT 的一部分，它代表传导和切换损耗之间的最佳平衡，以最大程度提高高切换频率转换器的效率。此外， VCE (sat) 温度系数略为正，参数分布非常紧密，可实现更安全的并联操作。

最大接点温度 TJ = 175 °C

μs 耐受时间为 5 μ s

低 VCE (sat) = 2.1 V (典型值) @ IC = 50 A

严格的参数分布

正 VCE (sat) 温度系数

反并联二极管恢复速度非常快

STMicroelectronics IGBT, VCEO 1200 V, 3引脚, 5 μs

批量定价选项

相关链接