STMicroelectronics IGBT, Ic 50 A, VCEO 1200 V, 最大 247 长引线
- RS 库存编号:
- 244-3195P
- 制造商零件编号:
- STGYA50H120DF2
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 2 - 4 | RMB59.48 |
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| 15 + | RMB55.98 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 244-3195P
- 制造商零件编号:
- STGYA50H120DF2
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 最大连续集电极电流 | 50 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 535 W | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 封装类型 | 最大 247 长引线 | |
| 配置 | 串行 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
最大连续集电极电流 50 A | ||
最大集电极-发射极电压 1200 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 535 W | ||
晶体管数 1 | ||
封装类型 最大 247 长引线 | ||
配置 串行 | ||
STMicroelectronics IGBT 使用 Advanced 专有沟道栅极场停止结构开发。此设备是 H 系列 IGBT 的一部分，它代表传导和切换损耗之间的最佳平衡，以最大程度提高高切换频率转换器的效率。此外， VCE (sat) 温度系数略为正，参数分布非常紧密，可实现更安全的并联操作。
最大接点温度 TJ = 175 °C
μs 耐受时间为 5 μ s
低 VCE (sat) = 2.1 V (典型值) @ IC = 50 A
严格的参数分布
正 VCE (sat) 温度系数
低热阻
反并联二极管恢复速度非常快
μs 耐受时间为 5 μ s
低 VCE (sat) = 2.1 V (典型值) @ IC = 50 A
严格的参数分布
正 VCE (sat) 温度系数
低热阻
反并联二极管恢复速度非常快