Infineon IGBT模块, 4个, Ic 100 A, VCEO 600 V
- RS 库存编号:
- 244-5370P
- 制造商零件编号:
- F475R06W1E3BOMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 2 - 2 | RMB260.72 |
| 3 - 3 | RMB255.50 |
| 4 - 4 | RMB250.39 |
| 5 + | RMB245.38 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 244-5370P
- 制造商零件编号:
- F475R06W1E3BOMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 100 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 600 V | |
| 最大栅极发射极电压 | +/-20V | |
| 最大功率耗散 | 275 W | |
| 晶体管数 | 4 | |
| 配置 | 发射极-集电极、四（2x双） | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 100 A | ||
最大集电极-发射极电压 600 V | ||
最大栅极发射极电压 +/-20V | ||
最大功率耗散 275 W | ||
晶体管数 4 | ||
配置 发射极-集电极、四（2x双） | ||
Infineon IGBT 模块适用于辅助变频器， UPS 系统，电感加热和焊接以及太阳能应用等
电气功能
低切换损耗，低电感设计
Trench IGBT 3.
VCEsat ，带正温度系数
低 VCEsat
机械功能
Al2O3 基片，具有低热阻
紧凑设计
焊接触点技术
由于集成安装夹，安装坚固
低切换损耗，低电感设计
Trench IGBT 3.
VCEsat ，带正温度系数
低 VCEsat
机械功能
Al2O3 基片，具有低热阻
紧凑设计
焊接触点技术
由于集成安装夹，安装坚固