Infineon , FP100R12KT4BOSA1 igbt模块, 7个, VCEO 1200 V

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包装方式:
RS 库存编号:
244-5380
制造商零件编号:
FP100R12KT4BOSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

igbt模块

最大集电极-发射极电压 Vceo

1200V

最大功耗 Pd

515W

晶体管数

7

最大栅极发射极电压 VGEO

20 V

最低工作温度

-40°C

最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT

2.1V

最高工作温度

150°C

宽度

62 mm

标准/认证

RoHS

长度

122mm

系列

FP100R12KT4

高度

17mm

汽车标准

Infineon IGBT 模块最大额定重复 Peak 集电极电流为 200 A ,集电极 - 发射极饱和电压为 2.20 V ,栅极阈值电压为 6.4 V

集电极 - 发射极切断电流 1.0 mA

切换条件下的温度 150° C

栅极 - 发射器泄漏电流 100 nA

反向传输电容 0.27 NF