Infineon IGBT模块, 7个, Ic 100 A, VCEO 1200 V
- RS 库存编号:
- 244-5380P
- 制造商零件编号:
- FP100R12KT4BOSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 2 - 2 | RMB966.83 |
| 3 - 3 | RMB957.24 |
| 4 - 4 | RMB938.09 |
| 5 + | RMB919.32 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 244-5380P
- 制造商零件编号:
- FP100R12KT4BOSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 100 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200 V | |
| 最大栅极发射极电压 | +/-20V | |
| 晶体管数 | 7 | |
| 最大功率耗散 | 515 W | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 100 A | ||
最大集电极-发射极电压 1200 V | ||
最大栅极发射极电压 +/-20V | ||
晶体管数 7 | ||
最大功率耗散 515 W | ||
Infineon IGBT 模块最大额定重复 Peak 集电极电流为 200 A ，集电极 - 发射极饱和电压为 2.20 V ，栅极阈值电压为 6.4 V
集电极 - 发射极切断电流 1.0 mA
切换条件下的温度 150° C
栅极 - 发射器泄漏电流 100 nA
反向传输电容 0.27 NF
切换条件下的温度 150° C
栅极 - 发射器泄漏电流 100 nA
反向传输电容 0.27 NF