Infineon , FP100R12KT4BOSA1 igbt模块, 7个, VCEO 1200 V

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包装方式:
RS 库存编号:
244-5380P
制造商零件编号:
FP100R12KT4BOSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

igbt模块

最大集电极-发射极电压 Vceo

1200V

晶体管数

7

最大功耗 Pd

515W

最大栅极发射极电压 VGEO

20 V

最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT

2.1V

最低工作温度

-40°C

最高工作温度

150°C

高度

17mm

宽度

62mm

系列

FP100R12KT4

标准/认证

RoHS

长度

122mm

汽车标准

否

Infineon FP100R12KT4 系列 IGBT 模块,1200V 最大集电极-发射极电压,515W 最大功耗 - FP100R12KT4BOSA1


这款 IGBT 模块是一款高压开关组件,专为需要高电压处理和耐热性的电力电子应用而设计。它旨在管理工业环境中的显著功耗,并可在宽温度范围内运行,在不需要汽车级替代品的情况下提供兼容性。

特性和优点:


• 1200V 阻断能力,支持高压开关
• 515 W 功耗容量,适用于重型负载
• 用于受控栅极驱动设计的 VGE 极限值为 20 V
• 2.1 V 的VCE(sat)可减少负载下的传导损耗
• 七晶体管配置提供密集的开关拓扑结构
• 150°C 最大接点额定值,适用于高温运行

应用


• 适用于工业电机驱动变频器级应用
• 适用于中压电源转换器和UPS系统
• 与可再生变频器中的高功率开关阵列配合使用
• 可用于牵引和重型设备电源模块

应遵守哪些栅极驱动限制?


该设备需要不超过 20 V 的栅极发射极电压以防止栅极损坏。

耐热性如何影响冷却设计?


最高工作温度为 150 °C,可实现较小的散热片余量,但仍需要足够的热接口和冷却,以实现连续 515 W 的散热功率。

该模块在阻塞时可承受的电气应力是多少?


它专为在关闭状态下承受高达1200V的集电极-发射极电压而设计。

内部有多少开关元件?


该模块包含七个晶体管,支持多开关拓扑。

选择材料是否有任何限制?


该装置符合 RoHS 要求,因此不含某些受限物质。

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