Infineon IGBT模块, 7个, Ic 20 A, VCEO 1200 V
- RS 库存编号:
- 244-5384
- 制造商零件编号:
- FP10R12W1T4BOMA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 244-5384
- 制造商零件编号:
- FP10R12W1T4BOMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 20 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200 V | |
| 最大栅极发射极电压 | +/-20V | |
| 晶体管数 | 7 | |
| 最大功率耗散 | 105 W | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 20 A | ||
最大集电极-发射极电压 1200 V | ||
最大栅极发射极电压 +/-20V | ||
晶体管数 7 | ||
最大功率耗散 105 W | ||
Infineon IGBT 模块适用于辅助变频器，电动机驱动器和空调等
电气功能
低切换损耗
Trench IGBT 3.
VCEsat ，带正温度系数
低 VCEsat
机械功能
Al2O3 基片，具有低热阻
紧凑设计
焊接触点技术
由于集成安装夹，安装坚固
低切换损耗
Trench IGBT 3.
VCEsat ，带正温度系数
低 VCEsat
机械功能
Al2O3 基片，具有低热阻
紧凑设计
焊接触点技术
由于集成安装夹，安装坚固