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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 2 - 2 | RMB242.03 |
| 3 - 3 | RMB237.17 |
| 4 - 4 | RMB232.44 |
| 5 + | RMB227.81 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 244-5387P
- 制造商零件编号:
- FP15R12W1T4BOMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | igbt模块 | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 1200V | |
| 最大功耗 Pd | 130W | |
| 晶体管数 | 7 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 2.25V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | 20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 62.8mm | |
| 宽度 | 33.8mm | |
| 高度 | 12mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 系列 | FP15R12W1T4B | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 igbt模块 | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 1200V | ||
最大功耗 Pd 130W | ||
晶体管数 7 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2.25V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最大栅极发射极电压 VGEO 20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 62.8mm | ||
宽度 33.8mm | ||
高度 12mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
系列 FP15R12W1T4B | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon FP15R12W1T4B 系列 IGBT 模块,1200V 集电极-发射极电压,130W 功耗 - FP15R12W1T4BOMA1
此 IGBT 模块是一种功率半导体组件,设计用于在工业电力电子设备中切换和控制高压直流负载。它为严苛的热电环境提供受控开关能力,可在宽温度范围内运行,并符合 RoHS 要求。
特性和优点：
• Vceo 额定电压为 1200 V,提供高压开关能力
• 功耗高达130W,可实现持久热负载处理
• 栅极发射极可承受高达 20 V 的电压,支持强大的栅极驱动余量
• 集电极-发射极饱和度为2.25V,可减少传导损耗
• 7 个晶体管在一个封装中提供多设备切换
• 功耗高达130W,可实现持久热负载处理
• 栅极发射极可承受高达 20 V 的电压,支持强大的栅极驱动余量
• 集电极-发射极饱和度为2.25V,可减少传导损耗
• 7 个晶体管在一个封装中提供多设备切换
应用
• 适用于工业电机驱动变频器级应用
• 与高压直流-直流转换系统配合使用
• 适用于功率因数校正和软切换级别
• 可用于公用事业中的开关模式电源
• 用于中频牵引和工业转换器
• 与高压直流-直流转换系统配合使用
• 适用于功率因数校正和软切换级别
• 可用于公用事业中的开关模式电源
• 用于中频牵引和工业转换器
它能在哪些环境温度范围内可靠运行?
它可在 -40°C 至 150°C 的温度范围内保持运行。
该模块如何解决危险物质限制问题?
它的制造符合RoHS对受限材料的要求。
外部安装空间的考虑因素是什么?
封装尺寸为 33.8 x 62.8 x 12 mm,适用于占地面积和高度规划。
封装中集成了多少个半导体开关?
结构包含七个单独的晶体管。
在负载条件下可预期的传导性能是多少?
预期在传导过程中,最大集电极-发射极饱和电压为 2.25 V。