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单位 | 每单位 | Per Tray* |
|---|---|---|
| 15 - 15 | RMB281.496 | RMB4,222.44 |
| 30 - 30 | RMB275.865 | RMB4,137.98 |
| 45 + | RMB267.589 | RMB4,013.84 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 244-5392
- 制造商零件编号:
- FP25R12W2T4BOMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | igbt模块 | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 1200V | |
| 晶体管数 | 7 | |
| 最大功耗 Pd | 175W | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | 20 V | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 2.25V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 高度 | 12mm | |
| 系列 | FP25R12W2T4B | |
| 长度 | 51mm | |
| 宽度 | 42.5 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 igbt模块 | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 1200V | ||
晶体管数 7 | ||
最大功耗 Pd 175W | ||
最大栅极发射极电压 VGEO 20 V | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2.25V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
高度 12mm | ||
系列 FP25R12W2T4B | ||
长度 51mm | ||
宽度 42.5 mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IGBT 模块最大额定重复 Peak 集电极电流为 50 A ，最大集电极 - 发射极饱和电压为 2.25 V ，栅极阈值电压为 6.4 V
集电极 - 发射极切断电流 1.0 mA
切换条件下的温度 150° C
栅极 - 发射器泄漏电流 400 nA
反向传输电容 0.05 NF