Infineon IGBT模块, 7个晶体管, VCEO=1.2 kV, FP25R12W2T4B系列
- RS 库存编号:
- 244-5394P
- 制造商零件编号:
- FP25R12W2T4BOMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 2 - 2 | RMB303.76 |
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| 4 - 4 | RMB291.67 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 244-5394P
- 制造商零件编号:
- FP25R12W2T4BOMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | IGBT模块 | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 1.2kV | |
| 最大功耗 Pd | 175W | |
| 晶体管数 | 7 | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | 20 V | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 2.25V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 系列 | FP25R12W2T4B | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 51mm | |
| 宽度 | 42.5mm | |
| 高度 | 12mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 IGBT模块 | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 1.2kV | ||
最大功耗 Pd 175W | ||
晶体管数 7 | ||
最大栅极发射极电压 VGEO 20 V | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2.25V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
系列 FP25R12W2T4B | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 51mm | ||
宽度 42.5mm | ||
高度 12mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon FP25R12W2T4B 系列 IGBT 模块,1200V 集电极-发射极电压,175W 功耗 - FP25R12W2T4BOMA1
此 IGBT 模块是一款功率半导体设备,设计用于在工业应用中切换和控制高压直流和交流负载。它将多个开关元件组合在一个紧凑型封装中,可在宽环境温度范围内运行时管理显著的功耗。
特性和优点：
• 1200V 集电极-发射极额定值，可实现高压开关能力
• 最大功耗为175W,可承受高热负载
• Vce(sat) 2.25V,可在接通状态下降低传导损耗
• 栅极发射极耐受 20V 电压,可保护控制输入
• 7 晶体管配置,支持复杂的开关布局
• 工作温度范围为 -40 至 150°C,可实现宽散热空间
• 最大功耗为175W,可承受高热负载
• Vce(sat) 2.25V,可在接通状态下降低传导损耗
• 栅极发射极耐受 20V 电压,可保护控制输入
• 7 晶体管配置,支持复杂的开关布局
• 工作温度范围为 -40 至 150°C,可实现宽散热空间
应用
• 适用于电力转换系统中的牵引逆变器级别
• 适用于需要高压设备的工业电机控制器
• 与中电压 UPS 和备用电源系统配合使用
• 可用于需要坚固开关的焊接电源
• 用于处理高直流电压的可再生能源逆变器
• 适用于需要高压设备的工业电机控制器
• 与中电压 UPS 和备用电源系统配合使用
• 可用于需要坚固开关的焊接电源
• 用于处理高直流电压的可再生能源逆变器
该设备可承受的最高接点温度是多少?
指定的最高工作温度为150°C。
封装中集成了多少开关元件?
该模块包含七个晶体管,集成在一个单元中。
对材料合规性有哪些认证或环境标准?
该装置符合 RoHS 要求,表明符合有限有害物质的要求。
PCB 或散热器布局应允许的物理占用面积是多少?
该模块宽度为 42.5 mm,长度为 51 mm,高度为 12 mm。