Infineon igbt模块, 7个, VCEO 600 V

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包装方式:
RS 库存编号:
244-5396P
制造商零件编号:
FP30R06W1E3BOMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

igbt模块

最大集电极-发射极电压 Vceo

600V

晶体管数

7

最大功耗 Pd

115W

最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT

2V

最低工作温度

-40°C

最大栅极发射极电压 VGEO

20 V

最高工作温度

150°C

宽度

33.8mm

标准/认证

RoHS

长度

62.8mm

高度

12mm

系列

FP30R06W1E3B

汽车标准

否

Infineon FP30R06W1E3B 系列 IGBT 模块,600V 最大集电极-发射极电压,115W 最大功耗 - FP30R06W1E3BOMA1


此 IGBT 模块是一款功率半导体设备,设计用于在工业转换器和电源系统中切换和控制高压直流。它可在宽温度范围内运行,适用于需要高压处理和定义栅极控制的应用。

特性和优点:


• 600V 额定值可处理高压直流电路
• 115 W 最大耗散,可实现持久功率处理
• VGE 20 V 栅极容差支持标准栅极驱动电压
• 低 VCE(sat) 2 V 可减少接通状态下的传导损耗
• 七晶体管拓扑结构可提高开关密度和功能性
• 符合RoHS标准,可确保限制有害物质进入

应用


• 适用于工业驱动器中的中压变频器级别
• 适用于可再生能源逆变器的电力转换
• 与需要多个开关元件的电机控制装置配合使用
• 可用于高压系统中的直流-直流转换
• 适用于评估高温切换的实验室测试架

它在运行期间能承受怎样的极端温度?


其额定工作温度低至 -40°C 和高达 150°C 的连续接点温度。

晶体管计数对电路设计有何影响?


7 个晶体管可实现紧凑的多开关布局,并减少多相或并行配置的外部组件数量。

关闭状态电压能力的定义有哪些电气限制?


该模块的最大集电极-发射极电压指示其关闭状态电压耐受能力为 600 V。

设计人员在热设计中应如何考虑功率损耗?


使用 115 W 最大功耗数字来调整散热片和散热接口,以保持接点温度限制。

选择时是否指示有任何环境供应限制?


该装置符合 RoHS 要求,限制组装中的某些危险物质。

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