Infineon IGBT模块, 7个, Ic 75 A, VCEO 1200 V
- RS 库存编号:
- 244-5834
- 制造商零件编号:
- FP50R12KE3BOSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | Per Tray* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | RMB827.452 | RMB8,274.52 |
| 20 - 20 | RMB810.902 | RMB8,109.02 |
| 30 + | RMB786.575 | RMB7,865.75 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 244-5834
- 制造商零件编号:
- FP50R12KE3BOSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 75 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 晶体管数 | 7 | |
| 最大功率耗散 | 280 W | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 75 A | ||
最大集电极-发射极电压 1200 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
晶体管数 7 | ||
最大功率耗散 280 W | ||
Infineon IGBT 模块的最大额定集电极发射极电压为 1200 V，全部功耗为 280 W，最大栅极阈值电压为 6.5 V。
内部隔离基本绝缘（1 类，IEC 61140）
栅极-发射极峰值电压 + /- 20 V
集电极-发射极饱和电压 2.30 V
栅极-发射极泄漏电流 400 nA
栅极-发射极峰值电压 + /- 20 V
集电极-发射极饱和电压 2.30 V
栅极-发射极泄漏电流 400 nA