Infineon igbt模块, 7个, Ic 75 A, VCEO 1200 V

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RS 库存编号:
244-5834
制造商零件编号:
FP50R12KE3BOSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

igbt模块

最大连续集电极电流 Ic

75A

最大集电极-发射极电压 Vceo

1200V

晶体管数

7

最大功耗 Pd

280W

最大栅极发射极电压 VGEO

20 V

最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT

2.15V

最低工作温度

-40°C

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

系列

FP50R12KE3

汽车标准

Infineon IGBT 模块的最大额定集电极发射极电压为 1200 V,全部功耗为 280 W,最大栅极阈值电压为 6.5 V。

内部隔离基本绝缘(1 类,IEC 61140)

栅极-发射极峰值电压 + /- 20 V

集电极-发射极饱和电压 2.30 V

栅极-发射极泄漏电流 400 nA