Infineon IGBT模块, 7个, Ic 105 A, VCEO 1200 V, EconoPIM
- RS Stock No.:
- 244-5844
- Mfr. Part No.:
- FP75R12KT3BOSA1
- Brand:
- Infineon
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- RS Stock No.:
- 244-5844
- Mfr. Part No.:
- FP75R12KT3BOSA1
- Brand:
- Infineon
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 105 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 355 W | |
| 晶体管数 | 7 | |
| 封装类型 | EconoPIM | |
| Select all | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 105 A | ||
最大集电极-发射极电压 1200 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 355 W | ||
晶体管数 7 | ||
封装类型 EconoPIM | ||
Infineon IGBT 模块适用于辅助变频器、 电机驱动、伺服驱动器医疗应用等。
电气特性
低切换损耗
Tvj op = 150° C
VCEsat 带正温度系数
低 VCEsat
机械特性
高功率和热循环能力
集成NTC温度传感器
铜底板
压装接触技术
标准壳体
低切换损耗
Tvj op = 150° C
VCEsat 带正温度系数
低 VCEsat
机械特性
高功率和热循环能力
集成NTC温度传感器
铜底板
压装接触技术
标准壳体