Infineon IGBT模块, 7个, Ic 105 A, VCEO 1200 V, EconoPIM
- RS 库存编号:
- 244-5844
- 制造商零件编号:
- FP75R12KT3BOSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 1 | RMB919.81 |
| 2 - 2 | RMB892.21 |
| 3 - 3 | RMB883.38 |
| 4 - 4 | RMB865.71 |
| 5 + | RMB848.40 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 244-5844
- 制造商零件编号:
- FP75R12KT3BOSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 105 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 355 W | |
| 晶体管数 | 7 | |
| 封装类型 | EconoPIM | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 105 A | ||
最大集电极-发射极电压 1200 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 355 W | ||
晶体管数 7 | ||
封装类型 EconoPIM | ||
Infineon IGBT 模块适用于辅助变频器、 电机驱动、伺服驱动器医疗应用等。
电气特性
低切换损耗
Tvj op = 150° C
VCEsat 带正温度系数
低 VCEsat
机械特性
高功率和热循环能力
集成NTC温度传感器
铜底板
压装接触技术
标准壳体
低切换损耗
Tvj op = 150° C
VCEsat 带正温度系数
低 VCEsat
机械特性
高功率和热循环能力
集成NTC温度传感器
铜底板
压装接触技术
标准壳体