Infineon igbt模块, 7个, VCEO 1200 V, EconoPIM
- RS 库存编号:
- 244-5851
- 制造商零件编号:
- FP75R12KT4BOSA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 244-5851
- 制造商零件编号:
- FP75R12KT4BOSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | igbt模块 | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 1200V | |
| 晶体管数 | 7 | |
| 最大功耗 Pd | 385W | |
| 包装类型 | EconoPIM | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 2.15V | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | 20 V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 62.5 mm | |
| 长度 | 122mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 系列 | FP75R12KT4B | |
| 高度 | 17mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 igbt模块 | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 1200V | ||
晶体管数 7 | ||
最大功耗 Pd 385W | ||
包装类型 EconoPIM | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2.15V | ||
最大栅极发射极电压 VGEO 20 V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 62.5 mm | ||
长度 122mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
系列 FP75R12KT4B | ||
高度 17mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IGBT 模块的最大额定集电极发射极电压为 1200 V，总耗散功率为 355 W，最大栅极阈值电压为 6.5 V。
内部隔离基本绝缘（1 类，IEC 61140）
栅极-发射极峰值电压 + /- 20 V
集电极-发射极饱和电压 2.15 V
栅极-发射极泄漏电流 400 nA