Infineon IGBT模块, 7个晶体管, VCEO=1.2 kV, EconoPIM, FP75R12KT4B系列
- RS 库存编号:
- 244-5854P
- 制造商零件编号:
- FP75R12KT4BOSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 244-5854P
- 制造商零件编号:
- FP75R12KT4BOSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | IGBT模块 | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 1.2kV | |
| 最大功耗 Pd | 385W | |
| 晶体管数 | 7 | |
| 包装类型 | EconoPIM | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | 20 V | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 2.15V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 系列 | FP75R12KT4B | |
| 宽度 | 62.5mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 高度 | 17mm | |
| 长度 | 122mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 IGBT模块 | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 1.2kV | ||
最大功耗 Pd 385W | ||
晶体管数 7 | ||
包装类型 EconoPIM | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最大栅极发射极电压 VGEO 20 V | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2.15V | ||
最高工作温度 150°C | ||
系列 FP75R12KT4B | ||
宽度 62.5mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
高度 17mm | ||
长度 122mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon FP75R12KT4B 系列 IGBT 模块,385W 最大功耗,1200V 最大集电极发射极电压 - FP75R12KT4BOSA1
此 IGBT 模块是一种功率半导体组件,设计用于切换和控制工业转换器和电机驱动器中的高压直流。它采用紧凑型 EconoPIM 封装,专为集成到电力电子系统中而设计,工作温度范围宽广,适用于严苛环境。
特性和优点：
• 1200V 阻断能力,适用于高压开关应用
• 385 W 额定耗散,可承受巨大功耗
• 2.15 V VCE(sat)可减少接通状态下的传导损耗
• 20V 栅极发射极容差,确保稳固的栅极驱动位置
• 七晶体管配置支持多开关拓扑结构
• 结构符合RoHS标准,可满足受管制材料要求
• 385 W 额定耗散,可承受巨大功耗
• 2.15 V VCE(sat)可减少接通状态下的传导损耗
• 20V 栅极发射极容差,确保稳固的栅极驱动位置
• 七晶体管配置支持多开关拓扑结构
• 结构符合RoHS标准,可满足受管制材料要求
应用
• 适用于高压工业电机驱动器
• 用于工厂中的三相逆变器组件
• 适用于高功率直流-直流转换模块
• 可用于中压牵引电力电子设备
• 用于需要多个开关元件的电源
• 用于工厂中的三相逆变器组件
• 适用于高功率直流-直流转换模块
• 可用于中压牵引电力电子设备
• 用于需要多个开关元件的电源
这款设备在运行过程中可承受哪些极端温度?
其额定工作温度范围为-40°C至150°C。
封装内集成了多少开关元件?
该模块包含七个晶体管,用于多芯或并行开关排列。
安装时需要考虑的物理封套测量值是什么?
该封装长度为 122 mm,宽度为 62.5 mm,高度为 17 mm。
该模块是否符合制造的材料限制要求?
它符合限制特定危险物质的 RoHS 标准。