Infineon igbt模块, 7个, VCEO 1200 V, EconoPIM

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包装方式:
RS 库存编号:
244-5854P
制造商零件编号:
FP75R12KT4BOSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

igbt模块

最大集电极-发射极电压 Vceo

1200V

最大功耗 Pd

385W

晶体管数

7

包装类型

EconoPIM

最低工作温度

-40°C

最大栅极发射极电压 VGEO

20 V

最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT

2.15V

最高工作温度

150°C

宽度

62.5 mm

标准/认证

RoHS

系列

FP75R12KT4B

长度

122mm

高度

17mm

汽车标准

Infineon IGBT 模块的最大额定集电极发射极电压为 1200 V,总耗散功率为 355 W,最大栅极阈值电压为 6.5 V。

内部隔离基本绝缘(1 类,IEC 61140)

栅极-发射极峰值电压 + /- 20 V

集电极-发射极饱和电压 2.15 V

栅极-发射极泄漏电流 400 nA